Схема замещения бт в параметрах

схема замещения бт в параметрах
Ток базы, коллектора и эмиттера и другие токи и напряжения в каскаде можно вычислить по закону Ома и правилам Кирхгофа для разветвлённой многоконтурной цепи. Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Наличие межэлектродных емкостей ограничивает рабочий диапазон частот полевого транзистора. Схема замещения транзистора в h-параметрах.Схемазаме -_ Рис.3.13. Схема замещения транзистора на основе h-параметров ще­ния (рис.3.13) имеет одинаковый вид независимо от схемы включения транзистора, разница будет заключаться только в величинах h- параметров. Первая буква указывает материал, из которого изготовлен прибор (К – кремний, А – арсенид галлия). Вторая буква П указывает на принадлежность к группе полевых транзисторов.


Входное сопротивление полевого транзистора очень велико — порядка 1-10 МОм. Управление выходным током осуществляется с помощью напряжения на затворе. Переходные процессы в диодах при включении и отключении. Упрощенная схемная модель низкоомного резистора показана на рис. 3, в. Емкостное сопротивление резистора с номинальным сопротивлением менее 300 Ом всегда значительно меньше индуктивного.

Вторичные внутренние параметры – параметры, которые могут быть определе-ны на основе только электрических измерений на выводах компонента: входные и выходные сопротивления, коэффициенты усиления и т.д. Вторичные внутренние параметры обычно называют электрическими. Содержание Общие сведения о математических моделях[править] Понятие модели[править] В общем случае под математической моделью реального объекта обычно понимают любое математическое описание, отражающее с требуемой точностью поведение этого объекта в заданных условиях. Выполнение условия Uk6=0 обычно называют граничным режимом, так как он характеризует переход транзистора из линейного режима в режим насыщения.

Похожие записи: